资讯快车：高通下代旗舰芯片骁龙835 侧重降功耗

在安卓阵营处理器列强排行榜上，高通称第二，没人敢称第一，高通是当之无愧的移动芯片霸主，即使去年高通810的失误，让三星稍微有了点看头，今年迅速修正，取得了中高端的大胜利，外界开始关注高通下一代芯片的命名，之前就谣传会改名，没想到居然是真的。

昨日高通官网发文正式确认下一代旗舰级芯片命名为835，并进一步透露了高通835的信息：

此次的处理器是和三星联合开发的，用上了三星 10nm 的制程工艺，用上三星 10nm 制程工艺的骁龙 835 体积将会缩小 30% 以上，同时还能降低 40% 的功耗并提升 27% 的性能。

全新的 Quick Charge 4.0 快充技术可以让手机在 15 分钟内充电超过 50%，比 QC 3.0 充电速度快了 20%，效率提升 30%。同时，QC 4.0还加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。

至于高通835的ISP、GPU、主频等具体信息目前还是未知状态，我们还是需要等待。

root点评：从高通官网给出的数据看，835的性能提升不大，仅为27%，功耗则是降低了40%，这可以看出高通芯片的未来趋势，那就是着眼于降低功耗了，至于今年的高通82X，战个一两年是不成问题的。

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关于今年的高通旗舰芯片82X：Qualcomm骁龙820处理器专为提供创新用户体验的顶级移动终端而设计，Adreno 530 GPU 、Hexagon 680 DSP和Kryo CPU一起构筑了骁龙820之异构计算“铁三角”;基于骁龙 820 处理器的终端于2016 年上半年上市。

Quick Charge 3.0也将集成在骁龙820处理器之中，其充电速度是传统充电方式的四倍，是Quick Charge 1.0的两倍，比Quick Charge 2.0充电效率高38%

高通821则是在高通820的基础上提升了四个核心的主频率，骁龙821的CPU大核主频2.4GHz、小核主频2GHz，GPU主频650MHz。也就是说，骁龙821的CPU性能提升10%，而GPU的提升为5%。