任天堂 Nintendo Switch 2 或搭载三星第5代V-NAND内存

有报道称任天堂正在开发其流行手持游戏机的新版本。

据报道，Nintendo Switch 2 预计将采用三星第 5 代 V-NAND 内存。这将是对当前 Switch 型号的重大升级，因为该芯片能够提供高达 1.4 GB/s 的速度。

新款 Nintendo Switch 游戏机将提供更快的读取速度。三星已经在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND 芯片，最新的芯片将于明年推出。

第五代 V-NAND 能够提供高达 1.4 GB/s 的读取速度，这将为新游戏机的性能带来显着变化，为游戏玩家提供足够的动力去转换。

Nintendo Switch 2 可能会使用三星 OLED 显示屏。